Geçtiğimiz 20 yıl içerisinde, ihtiyaçların da zorlaması ile, güç elektroniği ve elektroniğin diğer alanlarında silikon malzemeler dışında SiC ve GaN başta olmak üzere bir çok yarı iletken meteryal kullanıma sunulmaya başlandı. Bunlardan SiC (Silicon Carbide) ile ilgili olanını daha önce ele (Güç Elektroniğinde SiC (Silicon Carbide) Çağı) almış ve avantajlarından bahsetmiştim. GaN (Gallium Nitride) elemanlar ise yeni jenerasyonun bir öğesi olarak neredeyse SiC ile eşdeğer bir şekilde geliştirilmeye başlandı ve piyasaya sürüldü. Peki GaN, güç elektroniğinde SiC kadar başarı sağlayacak mı, birbirlerinin bire bir eş değerleri mi, yoksa her elemanı doğru yerde kullanmak bize mi kalıyor; gelin bunu birlikte inceleyelim. (Devamını Oku)

Güç elektroniği, son yıllarda elektrikli araçlar, yenilenebilir enerjiler ve bunun gibi bir çok sektör ile birlikte araştırma alanı oldukça genişleyen alanlardan bir tanesi. Bu alandan bahsedildiğinde ise akla ilk önce anahtarlamalı güç kaynakları gelmektedir. İster on/off süresi(duty) ister frekans kontrollü olsun günümüzde güç elektroniğinin dayanak noktasını yarı iletkenler oluşturur. Yarı iletkenlerin popülerleştiği ilk günlerden bugüne kadar öncelikle Germanyum (Ge) sonrasında ise Silikon (Si), yarı iletken elektroniğinin temel bileşenleri olmuşlardır.

Gelişen teknoloji ile birlikte artan enerji ihtiyacı, silikon yarı iletkenlerde, özellikle de Mosfet ve IGBT tarafında güç elektroniğinde yeni gelişmelerin gereksinimini artırmıştır. (Devamını Oku)