Güç elektroniği alanının önemli çevrim topolojilerinden biri olan çift anahtarlı forward dönüştürücünün temel özelliklerine daha önceki bölümde değinmiştik. Her topolojide olduğu gibi forward dönüştürücülerde de tasarımında en kritik adımlardan biri, devre elemanlarının doğru boyutlandırılmasıdır. Boyutlandırma durumu ise hem maliyet hem de tekniğin harmanlandığı karmaşık bir süreçtir. Bu bölümde, transformatör tur sayılarından çıkış bobinine, kapasitör seçiminden yarı iletkenlerin gerilim ve akım streslerine kadar temel hesaplama adımlarını adım adım ele alıp bu karmaşıklığı bir düzene sokmaya çalışacağız. Daha önce Flyback yazı serisinde olduğu gibi, önemli formüller üzerinden ilerleyip, pratik tasarım kriterlerini belirleyecek ve tasarımcıların kolayca uyarlayabileceği aynı zamanda ip uçları da içeren bir rehber olma amacı güdecektir. (Devamını Oku)

Güç elektroniği alanının önemli bir kısmı güç dönüştürme süreçlerine odaklanmaktadır. Bu doğrultuda, yaklaşık on yıl önce, temel bir başvuru kaynağı olması amacıyla burada bulabileceğiniz “Flyback Converter Tasarımı” başlıklı yazı serisini paylaşarak konunun bilinirliğini artırmayı hedefledim. Flyback dönüştürücüler, burada daha önce de değindiğimiz gibi, genellikle 200 W’a kadar olan güç seviyelerinde yaygın şekilde kullanılır. Ancak çıkış akımının yüksek olduğu ve daha büyük güçlerin söz konusu olduğu uygulamalarda, eleman sınırları nedeniyle farklı topolojilere yönelmek gerekmektedir. Bu arayış sırasında, eski literatürde tek anahtarlı forward dönüştürücünün sıklıkla önerildiğine rastlamaktayız. (Devamını Oku)

Elektronik cihazların daha küçük, daha hafif ve daha verimli hale gelmesi yönündeki kullanıcı talepleri, güç elektroniği alanında devrim niteliğinde yeni teknolojilerin önünü açmıştır. Bu dönüşümün en dikkat çekici parçalarından biri, SiC ve GaN gibi geniş bant aralıklı yarı iletken anahtarlama elemanlarının yükselişidir. Günümüzde elektrikli araçlardan güneş enerjisi inverterlerine, şebekeye bağlı güç kaynaklarından yüksek frekanslı dönüştürücülere kadar birçok modern sistemde bu elemanların kullanımı adeta bir standart haline gelmiştir. (Devamını Oku)

Güç elektroniği, son yıllarda elektrikli araçlar, yenilenebilir enerjiler ve bunun gibi bir çok sektör ile birlikte araştırma alanı oldukça genişleyen alanlardan bir tanesi. Bu alandan bahsedildiğinde ise akla ilk önce anahtarlamalı güç kaynakları gelmektedir. İster on/off süresi(duty) ister frekans kontrollü olsun günümüzde güç elektroniğinin dayanak noktasını yarı iletkenler oluşturur. Yarı iletkenlerin popülerleştiği ilk günlerden bugüne kadar öncelikle Germanyum (Ge) sonrasında ise Silikon (Si), yarı iletken elektroniğinin temel bileşenleri olmuşlardır.

Gelişen teknoloji ile birlikte artan enerji ihtiyacı, silikon yarı iletkenlerde, özellikle de Mosfet ve IGBT tarafında güç elektroniğinde yeni gelişmelerin gereksinimini artırmıştır. (Devamını Oku)