Elektronik cihazların daha küçük, daha hafif ve daha verimli hale gelmesi yönündeki kullanıcı talepleri, güç elektroniği alanında devrim niteliğinde yeni teknolojilerin önünü açmıştır. Bu dönüşümün en dikkat çekici parçalarından biri, SiC ve GaN gibi geniş bant aralıklı yarı iletken anahtarlama elemanlarının yükselişidir. Günümüzde elektrikli araçlardan güneş enerjisi inverterlerine, şebekeye bağlı güç kaynaklarından yüksek frekanslı dönüştürücülere kadar birçok modern sistemde bu elemanların kullanımı adeta bir standart haline gelmiştir. (Devamını Oku)

Güç elektroniği, son yıllarda elektrikli araçlar, yenilenebilir enerjiler ve bunun gibi bir çok sektör ile birlikte araştırma alanı oldukça genişleyen alanlardan bir tanesi. Bu alandan bahsedildiğinde ise akla ilk önce anahtarlamalı güç kaynakları gelmektedir. İster on/off süresi(duty) ister frekans kontrollü olsun günümüzde güç elektroniğinin dayanak noktasını yarı iletkenler oluşturur. Yarı iletkenlerin popülerleştiği ilk günlerden bugüne kadar öncelikle Germanyum (Ge) sonrasında ise Silikon (Si), yarı iletken elektroniğinin temel bileşenleri olmuşlardır.

Gelişen teknoloji ile birlikte artan enerji ihtiyacı, silikon yarı iletkenlerde, özellikle de Mosfet ve IGBT tarafında güç elektroniğinde yeni gelişmelerin gereksinimini artırmıştır. (Devamını Oku)