Fırat DEVECİ

Bir Yarı İletken Patlamasının Anatomisi

Elektronik alanında hemen hemen her gün bir çok hesaplama ve daha sonrasında ise bunun gerçek ortam denemesi yapılmaktadır. Teorik olarak hesapladığımız değerlerin, deney ortamında uyması ve olası sorunlara karşı önlemlerin alınması da bu denemelerin temelini oluşturmaktadır. Tüm bu denemeler sırasında bazen komponent, bazen teorik hesap hatası bazen de başka sorunlardan dolayı arızalar ve ara sıra da tehlikeli sayılabilecek patlamalar meydana gelebilmektedir. Bu şekilde bir patlama meydana geldiğinde ise tasarımcı tabiri caizse patlamanın otopsisine bakarak sorunun nedenine inmek zorundadır. (Devamını Oku)

Güç Elektroniğinde SiC (Silicon Carbide) Çağı

Güç elektroniği, son yıllarda elektrikli araçlar, yenilenebilir enerjiler ve bunun gibi bir çok sektör ile birlikte araştırma alanı oldukça genişleyen alanlardan bir tanesi. Bu alandan bahsedildiğinde ise akla ilk önce anahtarlamalı güç kaynakları gelmektedir. İster on/off süresi(duty) ister frekans kontrollü olsun günümüzde güç elektroniğinin dayanak noktasını yarı iletkenler oluşturur. Yarı iletkenlerin popülerleştiği ilk günlerden bugüne kadar öncelikle Germanyum (Ge) sonrasında ise Silikon (Si), yarı iletken elektroniğinin temel bileşenleri olmuşlardır.

Gelişen teknoloji ile birlikte artan enerji ihtiyacı, silikon yarı iletkenlerde, özellikle de Mosfet ve IGBT tarafında güç elektroniğinde yeni gelişmelerin gereksinimini artırmıştır. (Devamını Oku)

error: Kopyalama Yasaktır, Eğer Bilgi İçeriğini Almak İstiyorsanız İletişim Bölümünden Yazara Ulaşın!