Fırat DEVECİ

Datasheet Okumak: Mosfetler (Part 1)

  • 4 ay önce, Fırat DEVECİ tarafından yazılmıştır.
  • 13 Yorum
  • 3.442 Kişi Okudu

Mühendislik mesleği ile uğraşan bir çok kişi özellikle elektrik ve elektronik sektöründe, optimum verimle iyi bir tasarım yapmak için, ihtiyaç duyulan malzemelerin kullanım kılavuzu okumaya mecburdur. Günümüzde yarı iletken teknolojisinin patent, bilgi ve birikimlerini elinde tutan ülkeler göz önünde alındığında bu kılavuzların belirli disiplinler içerisinde ve İngilizce hazırlandığı görülmektedir. Bu tür okumalara yeni başlayan kişiler için İngilizce bilmenin getirdiği zorluğun yanında, mesleğe yıllarını vermiş kişilerin dahi, deneyimlemediği ve bu yüzden anlayamadığı, dolayısı ile yanlış tasarımlara neden olan “datasheet okunması”, maalesef üniversitelerimizde de özellikle “mühendisliğe giriş” gibi derslerde neredeyse hiç gösterilmemektedir.

Sayısal elektronik tarafında mikroişlemciler ve dijital devre elemanları konusunda çok daha fazla kaynak ve örnek bulunsa da konu güç elektroniği ve onların kalbindeki yarı iletken anahtarlama elemanları (mosfet, IGBT, diyot, triac vb.) olunca, iletişim ve bilgiye erişimin çok kolay olduğu günümüzde dahi hangi elemanın nerede kullanılacağı tam olarak bilinememektedir. Daha önceki yazılarımızda da ele aldığımız gibi bu tür elemanlar kullanım yerine göre süpriz bazı özelliklere gebedir ve hangi elemanın, uygulama özelinde nerede kullanılması gerektiğini anlamak için datasheet değerlerinin iyi bir şekilde bilinmesi gerekmektedir.

Bu anlamda, özellikle yeni başlayan arkadaşlara yardımcı olabilmek adına “mosfetler” özelinde datasheet’in nasıl okunacağını ele alacağız.

Uygun Anlatım için Mosfet Seçmek: IRFZ44
Datasheet okumasını kolayca aktarmak için önüme bir çok seçenek çıktı; yüksek/düşük gerilim dayanımlı, amper değerlerine sahip, ısıl karakteristiği ve kılıfı değişik bir çok mosfet. Daha sonrasında herkesin kolayca ulaşabileceği, bir çok uygulamasında kullanabileceği eski International Rectifier, yeni Infineon’a ait olan fakat neredeyse tüm üreticilerde benzerini bulabileceğiniz TO-220 kılıfa sahip IRFZ44 adlı mosfeti anlatım için uygun gördüm. Detaylara geçmeden önce buraya basarak anlatacağımız datasheet’i indirebilirsiniz. Her şey tamamsa, bazı yerlerde pazarlama hileleri bazı yerlerde ise ciddi bilgiler ile birlikte anlatıma başlayalım.

Giriş Sayfası: Pazarlama Hilelerinin En Çok Olduğu Bölüm!
Mosfet teknolojisi oldukça uzun maziye sahiptir. Firmaların birbirleri arasındaki rekabette sınırlar, özellikle genel geçer mosfet alanında oldukça belirsiz olabilmektedir. Çinli üreticilerle birlikte fiyat zorlaması yaşayan firmalar, ürünlerini bir adım öne taşıyacak bazı özellikleri ilk sayfada deklare etme gereği hissederler. Bir çok deneyimsiz tasarımcı, özellikle datasheetteki ilk sayfaya odaklandığından sonrasındaki karmaşayla uğraşmayıp tasarımını buna göre şekillendirir ve optimum tasarımdan sapmış olur. IRFZ44’ün ilk sayfasına göz atalım. Üzerine tıklarsanız büyüyecektir.Öncelikle burada dikkatimizi çekecek uyarılardan ilki kullanacağımız ürünün RoHS uyumlu olmasıdır. RoHS yani Restriction of Hazardous Substances Directive (Türkçe açılımı ile “Belirli Zararlı Maddelerin Kullanımını Kısıtlama”) kullanılan ürünlerde kurşun ve civa gibi insan sağlığına tehdit unsuru oluşturacak maddelerin kullanımına kısıtlama getirmektedir. Özellikle medikal bir alanda tasarım yapıyor ya da tasarımınızı Avrupa Birliği gibi bir alana ihrac ediyorsanız RoHS uyumluluğu oldukça önem arz edebilmektedir. Artık çoğu üründe RoHS uyumluluğu olsa da ucuz Çinli üreticilerin yarı iletkenlerinde hâlâ kurşun gibi ağır metaller bulunmaktadır.

Bunun yanında kırmızı çizgiler içerisinde aldığım hızlı anahtarlama, kolay paralellenme ve kolay sürme metotları ile bahsedilenler tamamen pazarlama hilesidir. Mosfetlerin genel kullanımında hız bir gereklilik olduğundan bunun belirtilmesi yanlıştır çünkü tam aksi bir mosfeti kimse üretmek istemez. Bunun yanında mosfetler sıcaklıkla iç dirençleri yükselen malzemeler olduğundan kolayca paralel bağlanabilirler; buradaki parallellikten kastın akımın eşit paylaşılması olduğunu söylemek gerekir. Son olarak kolay sürme metotları diye bir şey yoktur, mosfeti sürmek tamamen mosfet sürücünüzün yeteneği ile ilgili bir olaydır ve tam aksi yönde yine zor sürülen bir mosfet üretimi görülmemiştir.Absolute Maximum Rating değerleri bir mosfetin sınır şartlarını temsil eder ve bu değerler dışındaki durumları üretici garanti etmez. Dolayısı ile her ne koşul altında olursa olsun bu değerlerin aşılmaması, güvenli bir tasarım için elzemdir. Sırasıyla bu değerlere bakarsak;
Drain-Source Gerilimi: Mosfet’in en hassas noktalarından bir tanesidir ve ilgili değerin aşılması mosfetin bir zener gibi çalışmasına neden olacağından, üzerindeki gücü atamamasıyla birlikte mosfet zarar görmeyece başlayacaktır. IRFZ44 için bu değerin 60V değerini her aşamada aşılmaması gerekmektedir. Üretimdeki toleranslardan dolayı bu gerilimin 50-55V civarında tutulmasını öneririm.
Gate-Source Gerilimi: Bu gerilim mosfeti kontrol etmek için kullanılan gerilimdir ve threshold değerinden sonra mosfet iletime geçmeye başlar. Yalnız uygulamada kullanılan yollara göre “miller clamp” denilen teknikler kullanılmak istenirse mosfetin tamamen kapalı olduğunu garantilemek adına negatif gerilim gate ucuna uygulanabilir. Bunun da değeri IRFZ44 için +-20V olarak belirtilmiştir.
Drain’den Akabilecek Sürekli Akım: Belirli gate geriliminde ve saturasyon bölgesinde mosfetler kılıf sıcaklıklarına göre üzerilerinden belirli bir akımı akıtabilirler. Sıcaklık arttıkça, mosfetlerin iç dirençleri artacağından ve dolayısı ile oluşacak iletim kayıpları belirlenen kılıftan atılamayacağı için üzerilerinden geçirecekleri akım değerleri düşmektedir. Bu yüzden IRFZ44 için 25C kılıf sıcaklığında 50A sürekli akıtılabilirken, sıcaklık 100C’ye çıktığında bu değer ancak 36A değerinde olabilir. Bu konuyu iyi anlamak için daha sonraki bölümde anlatacağımız iç direnç/sıcaklık grafiğine dikkat etmek gerekmektedir.
Anlık Drain’den Akabilecek Akım: Bir çok uygulamada mosferler PWM tekniği ile kullanıldığından mosfetlerden anlık yüksek miktarlarda akımlar akıtabilmek mümkündür. Isıl direnç ve ortalama akımlar dikkate alındığında, sürekli bir şekilde uygulanan anlık vuruşlarda bu değerin IRFZ44 için 200A civarlarına kadar yükselebildiği görülmektedir.
Lineer Derating Faktörü: Bu faktör sıcaklık artımı ile yarı iletkenden atılabilecek ısı değerininin miktarını belirler. Örneğin IRFZ44 için 25C’de 150W güç atma kapasitesine sahip olan kılıf, 100C’de 75W güç atabilir ki iletim kayıpları ile birlikte bu değerin bizi 36A civarları sürekli akım akıtabilmeye indirdiği görülebilir.
Single Pulse Avalanche Energy: Ayrıntılı bir tanımı olsa da kısaca anahtarlama anlarında, mosfet geriliminin üst değeri aşılmışken, tek bir pulse içerisinde yarı iletkenin dayanabileceği enerji miktarını anlatır. Bu anda mosfet daha önce de dediğim gibi zener gibi davranır. Eğer oluşan ısı enerjisi bu değerden fazla ise yarı iletken zarar görür.
Maximum Power Dissipation: Mosfet kılıfının üzerinden atabileceği maksimum sıcaklığı göstermektedir. Bu ısı enerjisi eğer kılıftan uzaklaştırılmazsa mosfet hemen zarar görecektir.
Peak Diode Recovery: Buna daha sonra ayrıntılı bir şekilde değineceğiz.
Çalışma ve Saklama Junction Sıcaklıkları: Bu değer mosfetin çalışabileceği ve saklanabileceği maksimum junction sıcaklıklarını tanımlar. Burada dikkat edilmesi gereken bölüm verilen sıcaklık değerlerinin kılıf sıcaklık değerleri olmamasıdır. Dolayısı ile termal dirençler göz önünde bulundurulduğunda mosfetin yaklaşık ~150-160C civarı zarar görmeye başladığı düşünülebilir.

İkinci Bölüm: Teknik Detayları Dikkatle İncelemeliyiz!
İkinci sayfa mosfetler için genellikle özelliklerinin tam anlamıyla döküldüğü alandır ve kullanıcılar özellikle bu alanları es geçerler. Bu es geçme sonucunda ise gereksiz snubber tasarımları, mosfet sürücü yetmezlikleri gibi bir çok sorunla baş etmek zorunda kalınabilir. Dolayısı ile optimum tasarım için gerekli tüm bilgiler bu sayfadadır ve bir mosfetin rakiplerinden iyi mi yoksa kötü mü olduğu tam anlamıyla burada ortaya çıkar.Yarı iletkenlerin en önemli kriterlerinden biri soğutma gereksinimidir. İyi bir soğutma sonucunda hem yarı iletkenin akım kapasitesi artar hem de uzun süreli çalışmada arıza oranları düşer. Bu konuda önemli kriterlerden biri de yarı iletken kılıfının sıcaklık direncidir. Bu anlamda yukarıdaki veriler sırasıyla aşağıdaki gibi tanımlanır.
Maksimum Junction’dan Ortama Olan Termal Direnç: Bu direnç değeri silikon die ile ortam arasında bulunan termal sıcaklık değeridir. Bu değer aynı elektriksel direnç gibi düşünülebilir. Örneğin 1W sıcaklık kaybında oluşacak sıcaklık farkı IRFZ44 için 62C civarında olacaktır. Dolayısı ile soğutucusuz şekilde bu mosfet üzerinden en fazla 2-3W civarında sıcaklığı bertaraf edebilir.
Kılıftan Soğutucuya (Termal Pasta İle) Olan Isıl Direnç: Termal pasta sürdükten sonra kılıfa olan ısıl direnç miktarını temsil eder. IRFZ44 ele alındığında iyi bir soğutucu ile soğutulan mosfet, 50A ortalama akım ile maksimum 65W (Rds_on=0.026 için) ısı ortaya çıkaracaktır. Bu değerde de mosfet kılıfı ile soğutucu arasında 65Wx0.5=32.5C sıcaklık farkı ortaya çıkacaktır. Bundan sonra ise soğucu ile hava arasındaki ısıl direnç önem kazanacaktır.
Maksimum Junction’dan Kılıfa Olan Isıl Direnç: Bu değer silikon die’dan kılıfa olan ısıl direnci temsil eder. Yine maksimum ısıl enerjide (65W) maksimum sıcaklık farkı 65C olacaktır. İkinci basamaktaki ısıl direnci ele aldığımızda 65C die’dan kılıfa, 32.5C de kılıftan soğutucuya sıcaklık farkı oluşacaktır. Toplamda 97.5C fark oluşacaktır. Dolayısı ile buradan yola çıkarsak, mosfetimizi 150C sıcaklıkta tutmak istersek, kullanacağımız soğutucunun ısıl direnci 50C/65W=0.75C/W olmalıdır. Bundan büyük değerde ısıl dirence sahip soğutucu tam güçte mosfetin kullanılamaması anlamına gelecektir.Mosfetin en önemli parametrelerinden biri ise elektriksel karakteristiklerdir. Mosfetin bu özelliği iki türde incelenir; bunlar static yani durağan ve geçiş yani dinamik anlardaki özellikleridir. Mosfetin bu iki özelliği, ilgili mosfetin kullanım alanına göre uygun olup olmadığını da belirler.
Drain-Source Kırılma Gerilimi: Bu gerilim mosfetin zarar gördüğü maksimum dayanma gerilimidir. Yukarıda göreceğimiz değere göre bu değer maksimum Vgs=0V iken ve drain-source arası zorlama akım olarak 250uA akarken ulaşılan değer olarak verilmiştir. Mosfet bu bölümde zener gibi çalışmaktadır. IRFZ44 için verilen değer maksimum 60V olarak verilmiştir.
Drain-Source Sıcaklık Katsayısı: Mosfetlerin dayanma gerilimleri sıcaklık arttıkça artmaktadır. Bu değer bazı mosfetlerde çok artmasa da yeni nesil bir çok mosfette aşırı şekilde artmaktadır. Örneğin 25C’de 650V kırılma gerilimine sahip olan mosfet, 125C’de 700V civarında kırılma gerilimine ulaşabilir. Mosfetlerde bu, pozitif bir etki olarak gözümüze çarpmaktadır. IRFZ44’de bu değer 125C sıcaklıkta +6V olarak gözükerek 66V olarak karşımıza çıkar.
Gate Threshold Gerilimi: Mosfetin en önemli parametrelerinden biri de threshold gerilimidir. Bu gerilim mosfeti iletime geçirmek için kullanılması gereken minimum gerilimdir ve mosfetin iletimini garanti altına almak için bu gerilimin üzerinde bir değer ile gate’in sürülmesi gerekmektedir. Genellikle +10V ve üzeri mosfetlerin iletimde kalması için yeterlidir. Threshold geriliminin altındaki değerlerde ise mosfet kesime gider. Mosfetin kesimde tutulmasını garantilemek için 0V veya daha altı bir gerilimde tutulması gerekmektedir.
Gate-Source Sızıntı Akımı: Mosfet sürülürken gate ile source arasında sızıntı akımları akmaktadır. Bu değer oldukça düşük olsa da (IRFZ44 için +-100nA civarı) minimal tasarımlar için önemli olabilmektedir.
Sıfır Gate Geriliminde Drain Sızıntı Akımı: Bu değer de tanımından anlaşılacağı üzere mosfete sıfır gate gerilimi uygulandığında drain’den akacak akımı göstermektedir. Yüksek güçlü uygulamalarda bu değer sorun olmasa da özellikle pil ile çalışan uygulamalarda dikkate alınması gereken bir değer olarak karşımıza çıkmaktadır.
Drain-Source İletim Direnci: Kayıp hesabı için en önemli değerlerden biri iletim anında anahtarlama elemanı üzerinde oluşan maksimum direnç değeridir. Rölelerden, butonlara ve oradan yarı iletkenlere kadar bu değer iletim kaybı hesabında kullanılır ve bir anahtarın verimdeki en önemli öğesinden biridir. IRFZ44 için bu değer maksimum sıcaklık anında 28mOhm olarak verilmiştir. Bu değer mosfetler için iyi sayılabilecek bir değerdir. Günümüzde özellikle düşük gerilimlerde 1mOhm altında mosfetler bulmak kolaydır.Mosfetleri düşük frekanslı uygulamalar yerine yüksek frekanslı uygulamalar içerisinde kullanacaksak static değerlerin yanında dinamik etkileri de tasarımımızın kriterleri içine almamız gerekmektedir. Bu değerlerden en önemlilerini tanımlayacak olursak;
Mosfet İçsel Kapasiteleri: Mosfetin birleşimi sırasında Cdrain-source, Cgate-source ve Cdrain-source kapasiteleri oluşur. Crain-source arası kapasite Crss olarak da adlandırılır. Coss= (Cdrain-source) + (Crss) ve Ciss= (Cgate-source) + (Crss) olarak tanımlanır. Bir mosfeti hızlı açıp kapayabilmek için Cgate kapasitesini hızlıca doldurup boşaltabilmek gerekmektedir. Yukarıdaki formüllerden ilgili kapasite hızlıca çekilip tasarım içerisinde kullanılabilir. IRFZ44 için Cgate=1730pF olarak bulunabilir.
Gate Kapasitesi Şarj Değeri: Mosfet sürücüler tasarlanırken frekans değeri ile ilişkili ne kadar enerji harcayacağı bulunabilir. Bu değerin hesabı için gate kapasiteleri dolarken gerekli olan toplam coulomb miktarını bilmek gerekir. Örneğin IRFZ44 için Vgs=10V olacak şekilde 10kHz de gate için harcanacak toplam enerji P=E*f = [(1/2)QV]*f=0.5*67nC*10V*10kHz=~3mW olacaktır. Değer her ne kadar küçük görünse de özellikle 1MHz gibi yüksek frekanslı bir uygulamada 3W gibi belirli bir değere çıkacağı unutulmamalıdır.Anahtarlama Anı Süreleri: Mosfetler özellikle sert anahtarlama ile çalışan uygulamlarda belirli açılış ve kapanış sürelerine sahiptirler. Bu süreler, daha önce de vurguladığımız gibi, mosfetlerin anahtarlama anlarındaki kayıpların hesabı için kullanılır. IRFZ44’ün bu süreleri hesaplamada kullanılan test düzeneği yukarıdaki gibidir. Ve bu süreler sırasıyla datasheette bizlere sunulmuştur. Biz de bu sürelerden yola çıkarak mosfet üzerinde oluşacak kayıpları önce her periyotta hesaplayıp, sonrasında frekansla çarparak Watt cinsinden bulabiliriz. Switch Mode uygulamalarında, optimum çalışma noktaları genellikle iletim ve anahtarlama kayıplarının birbirine eşit olduğu noktalardır.
Mosfet Kaçak Endüktansları: Daha önceki yazımızda bahsettiğim gibi kaçak endüktanslar güç elektronikçilerinin tam anlamıyla baş belalarıdır. IRFZ44’ün paket yapısından kaynaklı kaçak endüktans değerleri datasheet’te bizlere sunulmuştur. Özellikle yüksek frekanslı uygulamalarda gerek snubber tasarımında gerekse oluşturacakları direnç (XL) değeri göz önüne alınmalıdır. Bunun yanında, peak akımlar ile birlikte, mosfet üzerinde kaçak endüktanslarda harcanacak güç bulunabilir ve bu güç snubber devresine yansıtılarak ne kadar enerjinin bertaraf edilmesi gerektiği E=1/2*L*I^2 gibi basit bir formülle bulunabilir.Mosfetler yapıları itibari ile drain-source arasında ters yönde diyotlara sahiptirler.

Mosfetler hızlı açılıp kapanabilen elemanlar olduğundan barındırdıkları diyotlar da genellikle hızlıdır fakat muadil diyotlara göre kötü özelliklere sahiptirler. Sırayla gidecek olursak; mosfet içerisindeki diyotlar, mosfetin kaldırabileceği akım kapasitesine sahiptirler. IRFZ44 için bu değer 50A sürekli, 200Apeak olarak bize verilmiştir. Bunun yanında iletim geriliminin 51A’de 2.5V gibi oldukça yüksek bir değere sahip olduğu görülmektedir. Günümüzde 50-60A civarında iletim gerilimi 0.6~0.7V olan diyot bulmak oldukça kolaydır. Dolayısı ile IRFZ44’ü bazı anlarda diyot olarak kullanmak verimsizliğe yol açacaktır. Bunun yanında hızlı anahtarlama gerektiren yerlerde, IRFZ44’ün diyodu kullanılması gerekiyorsa (örneğin bir senkron rectifier) trr oranlarına çok dikkat edilmelidir. IRFZ44’ün kullanıldığı tasarım 120~180ns’lik trr oranlarında sorunsuzca çalışabilmelidir. Ayrıca 60-100V aralığında trr=0ns olan diyotlar bulmak da oldukça kolaydır ve mosfet içi diyotlarının güçsüzlüğünü bize göstermektedir. Yine de fiyat/performans uygulamalarında (motor, inverter vb.) ters diyotlardan oldukça faydalanılır.

Birinci Bölümü Sonlandırırken…
Bir çok mosfetin ilk iki sayfası yukarıda anlatmaya çalıştığımız kısımları içerir. Bu bölümler, özellikle simülasyon ve verim hesabı yapılırken üzerinde oldukça fazla durulmasını gerektirir. Mosfet gibi IGBT ve power modüllerin de benzer içeriklere sahip olduğu unutulmamalıdır.

İkinci bölümde en önemli bölümlerden birini, grafikleri, ele almaya çalışacağız.

Her türlü sorunuzu, aklınıza takılanı bana yorum bölümünden iletebilirsiniz.
Herkese iyi çalışmalar dilerim!

  1. Ergün POYRAZ dedi ki:

    Öncelikle talebim üzerine ele aldığınız bu yazı için tekrar teşekkür ederim. Yazınız umduğumun çok üstünde bir anlatım olmuş temel seviyede dahi olsa bir anlatım ararken bu anlatım sayesinde aradığımdan fazlasını buldum durumu atasözü ile ifade edecek olursam: “Körün istediği bir göz Allah verdi iki göz” Okurken acaba bu yazı bir kaç kişi ile birlikte mi yazıldı diye düşünmekten da kendimi alıkoyamadım 🙂

    • Fırat DEVECİ dedi ki:

      Merhaba Ergün,

      Yazıların hepsini kendim yazıyorum, başka portallardaki gibi kopyala/yapıştır vb. gibi bir durum ya da bir ekip yok 🙂
      Türk bilgi birikimine bir damla katkıda bulunabiliyorsam bu beni mutlu eder.
      Temenniler için tekrar teşekkür ederim.

  2. Seyit dedi ki:

    Elinize sağlık Fırat Hocam, devamını bekliyoruz 🙂

  3. Erkan dedi ki:

    Elinize, beyninize sağlık. Çok teşekkür ederim…

  4. Fırat hocam, emeğinize sağlık.
    Takdire şayan bir anlatım. Devamını dört gözle bekliyoruz…

  5. Sencer dedi ki:

    Emeğinize sağlık hocam. Devamını bekliyoruz. Anlatım dili şahane…

  6. Mustafa dedi ki:

    Emeğinize sağlık hocam,
    Benim de bir isteğim olacaktı, Müteakip yazılarda sürme konusuna ayrıntılı değinirseniz benim gibi tecrübesizlere çok yardımı dokunur,
    Kendi sürücümüzü yaparken dikkat edilecek noktalar , sürücü datasheet okuma ve seçim kriterleri, MOSFET in charge decharge ve dv/dt olayları ilişkileri gibi konuları ve bunlara tasarımda hangi aşamada dikkat etmemiz gerekiyor…aklımda deli sorular 🙂

  7. Burak Saygılı dedi ki:

    Hocam gerçekten çok üst düzey bir anlatım olmuş.Sizin gibi insanlara çok ihtiyacımız var.Bir sonraki yazınızı merakla bekliyorum.Çok çok teşekkürler

  8. muhittin kaplan dedi ki:

    Fırat Ellerine Sağlık.

  9. Mesut Savran dedi ki:

    Fırat Bey öncelikle emeğiniz için teşekkürler. Anlayamadığım bir noktayı sormak istiyorum; “Thermal Resistance Ratings” kısmında maksimum junctiondan kılıfa olan ısıl dirençle ilgili olarak 50C/65W kısmındaki 50C ifadesini nereden elde ediyoruz. Sanırım gözden kaçırdığım bir nokta var.

    • Fırat DEVECİ dedi ki:

      Merhabalar Mesut Bey,

      Sorunuz gayet makul, atladığım bir detaydan dolayı bu karışıklık olmuş. Mosfetin sıcaklığının maksimum 150C’de tutulmak istendiğindeki değere göre alınmıştır 50C. Bunu bölüm içerisindeki noktaya detay olarak şu an ekliyorum. İlginiz için teşekkürler.

  10. İbrahim dedi ki:

    Fırat Bey merhabalar öncelikle bu değerli anlatımınız için teşekkür ederim.

    Mosfetle ilgili eksiklerimi görmüş oldum sayenizde. Size bir sorum olacak cevaplama fırsatınız olursa çok sevinirim: mosfet nasıl seçilir? Örnegin elimizde bir DC motor var 48 Volt 50 Amper; bu motora göre discrete mosfet/IGBT veya modul seçimi neye göre ve nasıl yapılır.

    Şimdiden teşekkür ederim.

    • Fırat DEVECİ dedi ki:

      Merhaba İbrahim öncelikle ilgin için teşekkür ederim.

      Mosfet ya da IGBT modül seçimi tamamen uygulamanın genel hatlarına bağımlı gibi olsa da senin örneğin için motorun dört bölge çalışması olup olmaması gibi durumlarda farklı şekilde seçilebilir. Örnek uygulama için 100V, iletim direnci oldukça küçük mosfetler seçmeye özen gösterirdim. Bu gerilim seviyelerinde IGBT’lerin kayıpları mosfetlere oranla çok çıkacağından tercih etmezdim.

Yorum Yazınız

error: Content is protected !!